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LED行业2013年下半年分析报告

时间:2021-10-17 02:02:02 来源:金沙体育 点击:

本文摘要:长禁带半导体是尖端军事和节约能源产业的核心:比起于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的长禁带半导体凭借穿透电场强度低、饱和状态电子迁移率低、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强劲等特点,需要大幅度提高电子器件的高压、高频、高功率工作性能,在军事、新能源、电动汽车等领域应用于前景极大。

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长禁带半导体是尖端军事和节约能源产业的核心:比起于Si和GaAs材料,以GaN、SiC为代表的长禁带半导体凭借穿透电场强度低、饱和状态电子迁移率低、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强劲等特点,需要大幅度提高电子器件的高压、高频、高功率工作性能,在军事、新能源、电动汽车等领域应用于前景极大。  LED之外,长禁带半导体功率器件开始崭露头角:目前GaN和SiC仅次于的应用领域为LED行业,构成了100亿美元的市场;除此之外,近两年在微波功率器件和电力电子器件领域开始南北商业化,我们指出未来两年GaN和SiC功率器件市场将开始较慢发展,潜在市场容量多达300亿美元,未来将在军事设备、光伏逆变器、电动汽车等领域开始逐步替代Si和GaAs功率器件。  GaN是微波器件的选用,在军事领域将大展拳脚:GaN限于于高频大功率应用于,是微波器件尤为理想的材料,其功率密度是现有GaAs器件的10倍,将沦为下一代雷达技术的标准,美军干扰机和宙斯盾驱逐舰的相控阵雷达开始改装GaN产品,军用市场将在未来几年推展GaN微波器件的较慢发展。

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  电力电子领域长禁带半导体需要减少50%的电力损耗,SiC限于于1200V以上高压应用于,GaN限于于中高压高频应用于:SiC单晶制取工艺比较成熟期,同质外延更容易制取横向结构的器件提升耐压性能,商业化的SiC器件耐压在600~1200V,限于于风力发电、铁路机车、电网等大功率应用于。  GaN异质外延缺失密度较小,目前不能制取纵向结构的器件,耐压性能提高更为艰难,但是GaN-on-Si成本较低,加之LED行业不存在大量MOCVD外延设备可以共用,未来未来将会较慢降低成本,普遍应用于UPS、光伏逆变器、电动汽车等领域。  民用领域商业化加快,国内企业开始紧贴:2013PCIM和ICSCRM数家企业发售6寸SiC晶圆、SiC功率器件和600VGaN功率器件产品,2014年开始都将步入量产阶段,表明出有SiC和GaN功率器件在民用市场的商业化进程开始加快,而国内企业也开始紧贴这一领域;SiC的难题在于单晶制取,国内专门从事SiC晶圆生产的主要还包括山东天岳和天富热电,山东天岳已开始对外销售2~4英寸SiC晶圆,6寸晶圆将于2015年开始量产。  GaN的难题在于外延生长,LED龙头三安光电早已已完成GaNHEMT功率器件的批量生产,转入样品测试阶段。

GaN功率元器件的外延制程同LED相似,并且对外延品质拒绝更高,我们指出LED芯片龙头企业如三安光电、德豪润达等凭借在LED外延方面的技术领先,未来在GaN功率器件领域也将占到得一席之地,关上新的利润快速增长空间。


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